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    淺談RCD電路的影響

    鉅大LARGE  |  點擊量:1211次  |  2020年03月26日  

    上篇博文重要分析未進行保護的反激電源開關過程分析,這回重要介紹RCD電路的影響。


    先分析過程:


    對應電路模型:


    我們可以定性的分析一下電路參數的選擇對電路的暫態響應的影響:


    1.RCD電容C偏大


    電容端電壓上升很慢,因此導致mos管電壓上升較慢,導致mos管關斷至次級導通的間隔時間過長,變壓器能量傳遞過程較慢,相當一部分初級勵磁電感能量消耗在RC電路上。


    波形分析為:


    2.RCD電容C特別大(導致電壓無法上升至次級反射電壓)


    電容電壓很小,電壓峰值小于次級的反射電壓,因此次級不能導通,導致初級能量全部消耗在RCD電路中的電阻上,因此次級電壓下降后達成新的平衡,理論計算無效了,輸出電壓降低。


    3.RCD電阻電容乘積R×C偏小


    電壓上沖后,電容上儲存的能量很小,因此電壓很快下降至次級反射電壓,電阻將消耗初級勵磁電感能量,直至mos管開通后,電阻才緩慢釋放電容能量,由于RC較小,因此可能出現震蕩,就像沒有加RCD電路相同。


    4.RCD電阻電容乘積R×C合理,C偏小


    假如參數選擇合理,mos管開通前,電容上的電壓接近次級反射電壓,此時電容能量泄放完畢,缺點是此時電壓尖峰比較高,電容和mos管應力都很大


    5.RCD電阻電容乘積R×C合理,R,C都合適


    在上面的情況下,加大電容,可以降低電壓峰值,調節電阻后,使mos管開通之前,電容始終在釋放能量,與上面的最大不同,還是在于讓電容始終存有一定的能量。


    以上均為定性分析,實際計算還是單獨探討后整理,要做仿真驗證。


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